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          內存制造技術再創(chuàng)新，大廠新招數呼之欲出
          
                                                            
            
                    	
          • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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          • 關鍵字：
                        HBM  3D DRAM                          
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          鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  3D NAND堆疊                          
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          SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
          
                                                            
            
                    	
          • 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  3D DRAM                          
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          西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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          • 關鍵字：
                        西門子  Calibre 3DThermal  3D IC                          
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          邁向 3D 內存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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          • 關鍵字：
                        3D 內存  存儲  三星                          
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          SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  3D NAND                          
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          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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          • 關鍵字：
                        5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC                          
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          聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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          • 關鍵字：
                        聯(lián)電  3D IC                          
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          如何減少光學器件的數據延遲
          
                                                            
            
                    	
          • 光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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          • 關鍵字：
                        3D-IC                          
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          Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云
          
                                                            
            
                    	
          • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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          • 關鍵字：
                        Zivid  3D  機器人                          
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          3D DRAM進入量產倒計時
          
                                                            
            
                    	
          • 在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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          • 關鍵字：
                        3D DRAM                          
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          3D NAND，1000層競爭加速！
          
                                                            
            
                    	
          • 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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          • 關鍵字：
                        3D NAND  集邦咨詢                          
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          千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
          
                                                            
            
                    	
          • 從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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          • 關鍵字：
                        3D DRAM  存儲                          
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          為什么仍然沒有商用3D-IC？
          
                                                            
            
                    	
          • 摩爾不僅有了一個良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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          • 關鍵字：
                        3D-IC  HBM  封裝                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          300層之后，3D NAND的技術路線圖
          
                                                            
            
                    	
          • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        3D NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共627條
	1/42															1																2																3																4																5																6																7																8																9																10																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																							»
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          3d hal介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d hal!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d hal的理解，并與今后在此搜索3d hal的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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